姓名:王琪
职称:校聘副教授
电子邮件:wangqi@xpu.edu.cn
◆研究方向
智能纤维材料的研发、智能纺织品的制备与应用
◆基本情况
王琪,汉族,工学博士,1993年3月生于陕西省铜川市,校聘副教授,中共党员。2011年9月—2015年7月在长安大学无机非金属材料工程(道路与机场工程材料)专业进行本科学习,按期毕业并获得工学学士学位。2015年9月—2020年7月在中国地质大学(北京)攻读材料科学与工程专业博士研究生(1+4硕博贯通),按期毕业并获得工学博士学位。2020年7月入职金沙威尼斯欢乐娱人城。近年来参与国家自然科学基金项目2项、主持校级基金项目2项,发表学术论文13篇,其中SCI收录11篇、EI收录2篇,申请国家发明专利8项。曾获博士研究生国家奖学金2次、北京市优秀毕业生等荣誉称号。
◆学术情况
近年来承担项目
[1]中国地质大学(北京)基本科研业务费专项资金资助项目·优秀导师基金——泡沫镍上生长氧化锡阵列应用于超级电容器的研究,2019.01-2019.12(经费5万元,个人项目,主要负责人)
[2]中国地质大学(北京)基本科研业务费专项资金资助项目·优秀导师基金——采用射频磁控溅射法在不同氧氩比条件下沉积得到的缺氧型氧化锡薄膜的导电机制研究,2017.07-2018.06(经费5万元,个人项目,主要负责人)
[3]国家自然科学基金项目——二维原子晶体异质结构的可控外延制备及在新型光电器件中的应用,No.11674035,2017.01.01-2020.12.01(课题组项目,主要参与者)
[4]国家自然科学基金项目——基于一维同轴纳米结构中表面等离激元效应的量子光学现象及其应用探索研究,No.11274052,2013.01.01-2016.12.01(课题组项目,主要参与者)
[5]国家自然科学基金项目——氧化物基纳米异质结构阵列/薄膜的制备及其低压压敏电阻器件研究,No. 61274015,2013.01.01-2016.12.01(课题组项目,主要参与者)
近年发表论文
[1]Qi Wang,Ye Tian,Shundong Guan,Zhijian Peng,Xiuli Fu. Alloying enhanced supercapacitor performance based on oxygen-deficient tin oxide nanorods array electrodes.ACS Applied Energy Materials, 2020, SCI.
[2]Qi Wang,Zhijian Peng, Yang Wang, Xiuli Fu.Influence of thermal treatment temperature on high-performance varistors prepared by hot-dipping tin oxide thinfilms in Nb2O5powder. Applied Surface Science, 2018, SCI.
[3]Qi Wang,Zhijian Peng, Yang Wang, Xiuli Fu. Highly nonlinear varistors fabricated by hot-dipping tin oxide thinfilms in Ta2O5powder at different temperatures. Ceramics International, 2018, SCI.
[4]Qi Wang,Zhijian Peng, Changchun Lv, Xiuli Fu. High-performance varistors prepared by hot-dipping tin oxide thin films in Sb2O3powder: Influence of temperature. Journal of the American Ceramic Society, 2018, SCI.
[5]Qi Wang,Chengbiao Wang, Changchun Lv, Yang Wang, Zhijian Peng, Xiuli Fu. Electrical conducting and mechanism of oxygen-deficient tin oxide films deposited by RF magnetron sputtering at various O2/Ar ratios. Surface Review and Letters, 2018, SCI.
[6]Qi Wang,Zhijian Peng, Yang Wang, Xiuli Fu. Deposition and electrical resistivity of oxygen-deficient tin oxide films prepared by RF magnetron sputtering at different powers. Solid State Phenomena, 2018, EI.
[7] Yang Wang, Zhijian Peng,Qi Wanget.al. Highly nonlinear varistors from oxygen-deficient zinc oxide thin films by hot-dipping in Bi2O3: Influence of temperature. Applied Surface Science, 2016, SCI.
[8] Yang Wang, Zhijian Peng,Qi Wanget.al. High-performance varistors simply by hot-dipping zinc oxide thin films in Pr6O11: Influence of temperature. Scientific Reports, 2017, SCI.
[9] Yang Wang, Hongbin Qi,Qi Wanget.al. Effect of thermal treatment time on high-performance varistors prepared by hot-dipping oxygen-deficient zinc oxide thin films in bismuth oxide powder. Journal of Mateirals Science-Materials in Electronics, 2018, SCI.
[10] Yang Wang, Zhijian Peng,Qi Wanget.al. Tunable electrical resistivity of oxygen-deficient zinc oxide thin films. Surface Engineering, 2017, SCI.
[11] Yang Wang, Zhijian Peng,Qi Wanget.al. Electrical conducting and mechanism of zinc oxide thin films with different types and levels of defects. Transactions of the Indian Ceramic Society, 2017, SCI.
[12] Yang Wang, Zhijian Peng,Qi Wanget.al. Composition, structure and electrical resistivity of ZnO1-xfilms deposited by RF magnetron sputtering under various O2/Ar gas ratios, Key Engineering Materials, 2016, EI.
[13] Yang Wang, Zhijian Peng,Qi Wanget.al. Composition, structure and electrical resistivity of ZnO1-xfilms deposited by RF magnetron sputtering under various O2/Ar gas ratios, Key Engineering Materials, 2016, EI.
[14]彭志坚,王琪,王杨,符秀丽。一种氧化锡基薄膜压敏电阻器的制备方法。中国发明专利,授权专利号:201710512052.0。
[15]王杨,彭志坚,王琪,符秀丽。一种氧化锌-氧化铋薄膜压敏电阻器的制备方法。中国发明专利,授权专利号:201610286553.7。
[16]彭志坚,王琪,田也,符秀丽。一种氧化锡纳米片阵列超级电容器正极材料的制备方法。中国发明专利,授权专利号:201910995576.9。
[17]田也,彭志坚,王琪,符秀丽。一种树冠状缺氧型氧化锡纳米片阵列结构及其制备方法。中国发明专利,公开号:201910994467.5。
[18]彭志坚,王琪,田也,符秀丽。一种部分合金化的缺氧型氧化锡超级电容器正极材料的制备方法。中国发明专利,公开号:201910995578.8。
[19]彭志坚,王琪,田也,符秀丽。部分合金化的氧化锡纳米棒阵列超级电容器正极材料的制备方法。中国发明专利,公开号:201910994486.8。
[20]彭志坚,王琪,田也,符秀丽。基于缺氧型氧化锡纳米片花球的超级电容器正极材料的制备方法。中国发明专利,公开号:201910994471.1。
[21]彭志坚,王杨,王琪,符秀丽。一种氧化锌-氧化镨薄膜压敏电阻器的制备方法。中国发明专利,公开号:201611030553.7。